1．事業の趣旨

本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN 等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。これにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指すものです。

本公募では、回路システム領域、次々世代・周辺技術領域について提案を募集しました。
＊パワーデバイス領域, 受動素子領域, 研究支援についてはR2年度公募にて採択済み。
 

2．審査の経緯

（1）公募の実施
令和3年9月14日（火曜日）～令和3年10月12日（火曜日）の期間に公募を実施し、8件の提案がありました。
 
（2）審査の実施
外部有識者による審査委員会（別紙）にて書面審査、面接審査を実施し、採択課題を決定しました。

 

3.審査結果の概要

応募件数：8件
採択件数：2件

(回路システム領域：1件)
1. 採択課題名：SSTの高性能化に向けた回路・デバイス・制御技術の統合技術開発
　機関及び代表者名：東京都公立大学法人東京都立大学,和田圭二

（次々世代・周辺技術領域：1件）
2. 高品質β-Ga2O3単結晶育成のためのAI計算を用いた新規ルツボフリー結晶成長法の開発
　機関及び代表者名：国立大学法人東北大学,吉川彰

• 【別添】令和3年度「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業第二回公募」審査委員会委員名簿 (PDF:56KB)

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