1．事業・公募の概要

本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN等の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。
これにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指すものです。
今回は、パワエレ回路システム領域、次々世代・周辺技術領域について公募します。
 
なお、本公募は、令和3年度予算の成立を前提とするものであり、予算の成立状況によっては事業内容や事業予算を変更する場合があります。

2．スケジュール

公募開始から事業開始までのスケジュールとしては概ね以下のように予定しております。

• 募集受付 令和3年9月14日（火曜日）～令和3年10月12日（火曜日）17時00分（厳守）※

• 書面審査 令和3年10月中・下旬予定

• 面接審査　 令和3年10月下旬～11月上旬

• 採択、令和3年11月中予定

• 契約締結 令和3年12月上旬予定

　　※府省共通研究開発管理システム(e-Rad)を通じて、応募してください。

○公募説明会

Webexによる公募説明会を下記日時より実施します。なお、本説明会へ参加されなくても、本事業への応募は可能です。
 
日時：令和3年9月17日（金曜日）13時00分～14時30分
 
参加を希望される方は、以下お問合せ先にあるメールアドレス宛に、件名を「令和3年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業公募説明会申込み」とし、氏名、所属、役職を記入し、送信ください。参加登録期限は9月16日（木曜日）13時00分とします。
なお、募集説明会の登録時に入力いただく御氏名、御所属・役職、メールアドレスは、参加登録の確認のみに使用し、他の用途で使用することはありません。
 

3.公募要領、提案書類様式等

公募要領等の関係資料は、下記よりダウンロードしてください。

• 第二回パワエレ公募要領 (PDF:1.1MB)
• 申請用紙 (Word:60KB)
• 科学技術・学術政策局、研究振興局及び研究開発局委託契約事務処理要領 (令和2年12月改定) (PDF:604KB)

お問合せ先