1．事業の趣旨

本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN 等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。これにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指すものです。

本公募では、回路システム領域、受動素子領域、次々世代・周辺技術領域、研究支援について提案を募集しました。
＊パワーデバイス領域についてはR2年度公募にて採択済み。
 

2．審査の経緯

（1）公募の実施
令和3年2月26日（金曜日）～令和3年3月30日（火曜日）の期間に公募を実施し、25件の提案がありました。
 
（2）審査の実施
外部有識者による審査委員会（別紙）にて書面審査、面接審査を実施し、採択課題を決定しました。

 

3.審査結果の概要

応募件数：25件
採択件数：12件

(回路システム領域：1件)
1. 採択課題名：脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発
　機関及び代表者名：国立大学法人東北大学 高橋 良和

（受動素子領域：3件）
2. 採択課題名：磁気異方性軟磁性材料を用いた高周波・電力変換用トランス・インダクタの開発
　機関及び代表者名：国立大学法人信州大学 水野 勉
3. 採択課題名：革新的パワーエレクトロニクスのための超低損失磁性材料の創成
　機関及び代表者名：国立研究開発法人物質・材料研究機構 岡本 聡
4. 採択課題名：高性能・小次世代高電力密度パワエレ機器に向けた高性能コンデンサの研究開発
　機関及び代表者名：国立大学法人北海道大学 幅崎 浩樹

（次々世代・周辺技術領域：7件）
5. 採択課題名：ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の横断的研究
　機関及び代表者名：国立大学法人大阪大学 渡部 平司
6. 採択課題名：ダイヤモンド電子源応用真空パワースイッチの基盤技術開発
　機関及び代表者名：国立研究開発法人産業技術総合研究所 竹内 大輔
7. 採択課題名：GaN/SiCハイブリッドパワーデバイスの研究開発
　機関及び代表者名：国立研究開発法人産業技術総合研究所 原田 信介
8. 採択課題名：GaNデバイスで拓く超高周波パワーコンバータの開発とその革新的直流給電システムへの応用
　機関及び代表者名：国立大学法人千葉大学 佐藤 之彦
9. 採択課題名：次々世代パワエレ用受動素子の創製に向けた革新的高誘電率常誘電体の開発
　機関及び代表者名：国立大学法人東海国立大学機構 谷口 博基
10. 採択課題名：次々世代パワエレ用高飽和磁束密度窒化鉄の研究
　機関及び代表者名：国立大学法人東北大学 齊藤 伸
11. 採択課題名：非線形誘電率顕微鏡を用いた次々世代革新的パワーエレクトロニクス用材料・デバイス創出に資する評価技術の開発
　機関及び代表者名：国立大学法人東北大学 長 康雄

（研究支援：1件）
12. 採択課題名：革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業における研究支援業務の実施
　機関及び代表者名：株式会社三菱総合研究所 山野 宏太郎

• 【別添】令和3年度「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」審査委員会委員名簿 (PDF:117KB)

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