令和2年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業における採択課題の決定について

令和3年2月5日

このたび、令和2年度「革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業」における採択課題を決定しましたので、お知らせします。

1.事業の趣旨

本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN 等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。これにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指すものです。

本公募では、パワーデバイス領域について提案を募集しました。

2.審査の経緯

(1)公募の実施
令和2年12月18日(金曜日)~令和3年1月12日(火曜日)の期間に公募を実施し、3件の提案がありました。
 
(2)審査の実施
外部有識者による審査委員会(別添)にて書面審査、面接審査を実施し、採択課題を決定しました。

 

3.審査結果の概要

応募件数:3件
採択件数:1件
 
採択課題名:社会実装を目指したGaN縦型パワーデバイス作製技術の確立
機関及び代表者名:国立大学法人東海国立大学機構 天野 浩

お問合せ先

研究開発局環境エネルギー課 エネルギー科学技術係
電話番号:03-6734-4159(直通)
ファクシミリ番号:03-6734-4162
メールアドレス:kankyou@mext.go.jp
 

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(研究開発局環境エネルギー課)