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省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 第2回公開シンポジウム ~青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術~ の開催について

平成30年4月11日

文部科学省では、平成28年度から開始し、世界初の革新的な研究成果を挙げている「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の第2回公開シンポジウムを、以下の通り開催いたしますのでお知らせします。

1.概要
平成28年度に始まった「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」では、日本発の窒化ガリウム(GaN)材料を用いてデバイスの省エネルギー化を目指す研究開発を進めてきました。GaNを使った高効率なパワーデバイスは日常生活やインフラの省エネ化を、GaNを使った高効率な光源は安心・安全な生活・環境を、世界に広げます。GaNには、エネルギーや空間の未来を変えていく大きな可能性があります。今年は本プロジェクトの中間年。これまで得られた、世界初などの革新的な研究成果をご紹介すると共に、今後の研究開発の方向性、成果をどのように産業へ応用し社会実装へ結びつけていくか、議論・討論を行います。

2.開催概要

(1)日時
平成30年5月16日(水曜日)14時00分~17時00分

(2)会場
学術総合センター 一橋講堂(東京都千代田区一ツ橋2-1-2、神保町駅(A8・A9出口)徒歩4分、竹橋駅(1b出口)徒歩4分)

(3)参加申込み方法
下記専用HPよりお申込みください。(事前申込制)
5/16開催 第2回公開シンポジウム 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発  -青からパワーへ 離陸する革新的省エネ技術-(※外部のウェブサイトへリンク)

(4)入場料
無料(事前登録制 先着順 500名)

(5)取材に関するお問合わせ
ぶら下がり取材を希望される場合には、平成30年5月15日(火曜日)12時00分までに以下の問い合わせ先までご連絡ください。プログラム(4)成果報告後の休憩時間に会場内で行う予定です。

報道関係者の取材は、原則として1社1名とさせていただきます。

本シンポジウムの撮影、録画、録音を希望する方は事前にご相談願います。


詳しくは以下のポスターを御覧ください。

お問合せ先

研究開発局環境エネルギー課

滝沢、穂谷野、武田
電話番号:03-5253-4111(内線4534)
ファクシミリ番号:03-6734-4162
メールアドレス:kankyou@mext.go.jp

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(研究開発局環境エネルギー課)

-- 登録:平成30年04月 --