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平成30年度「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」公募の審査結果について

平成30年5月16日

文部科学省では、「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」について、公募及び所要の審査を経て採択機関を決定しましたので、お知らせいたします。


1. 事業の概要


 本事業では、「GaN等の次世代半導体に関して、材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより、実用化に向けた研究開発を加速すること」を目的としています。次世代半導体の実用化の加速による省エネルギー社会の早期実現に加えて、世界に先駆けた次世代半導体の市場投入による産業競争力の強化を目指すものです。
 上記の目的を達成するため、省エネルギー社会の実現に向けて、2030年に革新的なパワーデバイス(高周波・高出力で小型、軽量なパワーデバイス(例:MHzレベル以上、100 kVA以上で動作するパワーデバイス)、更には通信機能、制御回路等を融合した革新的なスマートパワーデバイス)、革新的なレーザーデバイス(高効率・広波長域のレーザーデバイス(例:可視光から紫外の波長域で高い効率を有するレーザーデバイス、深紫外レーザーデバイス))の社会実装が実現することを念頭におきながら、GaN等の次世代半導体に関して材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションを活用した基礎基盤研究開発を実施します。
 具体的には、研究開発拠点の中核を担う中核拠点を設置し、中核拠点において各領域で行われる研究開発のとりまとめ等を行います。また、中核拠点において結晶創製に係る研究開発を実施します。さらに、評価基盤領域において結晶及びパワーデバイス、レーザーデバイスの評価に係る研究開発を実施するとともに、パワーデバイス・システム応用研究開発領域において、パワーデバイスの作製に係る研究開発、レーザーデバイス・システム応用研究開発領域において、レーザーデバイスの作製に係る研究開発を実施します。
 平成30年度からはこれに加えて、高周波デバイス・システム応用研究開発領域(以下、「高周波デバイス・システム領域」という。)を設置して、中核拠点及び評価基盤領域と連携しながら、高周波デバイスの研究開発を推進します。具体的には、高周波デバイスを安定的に作製できる技術の開発を達成目標とします。主要実施項目としては、結晶成長時の欠陥、デバイス作製過程で誘起される欠陥のデバイス特性への影響の明確化、化学的・物理的素過程の理解に基づく再現性の良いプロセス基礎技術の開発、再現性の良いプロセス基礎技術による革新的な高周波デバイス作製技術の開発等を実施します。



2.決定までの経緯等

(1)公募

1. 公募実施期間:平成30年3月16日(金曜日)から4月11日(水曜日)
2. 募集方法:文部科学省ホームページおよび府省共通研究開発管理システム(e-Rad)に掲載
3. 応募件数:1件

(2)審査

外部有識者(別紙1)により構成される審査評価会において書面審査および面接審査を実施しました。

3. 決定した採択機関

外部有識者(別紙1)から構成される審査評価会での審査結果を踏まえ、採択条件を付した上で、採択機関(別紙2)を決定しました。

お問合せ先

研究開発局環境エネルギー課

滝沢、穂谷野、武田、海老澤
電話番号:03-5253-4111(内線4545)
ファクシミリ番号:03-6734-4162
メールアドレス:kankyou@mext.go.jp

(研究開発局環境エネルギー課)

-- 登録:平成30年05月 --