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平成30年度省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発の公募について

平成30年3月16日

文部科学省では、このたび平成30年度「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」を下記のとおり公募開始しましたのでお知らせします。

1.事業の概要

 本事業では、「GaN等の次世代半導体に関して、材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより、実用化に向けた研究開発を加速すること」を目的としています。次世代半導体の実用化の加速による省エネルギー社会の早期実現に加えて、世界に先駆けた次世代半導体の市場投入による産業競争力の強化を目指すものです。
 上記の目的を達成するため、省エネルギー社会の実現に向けて、2030年に革新的なパワーデバイス(高周波・高出力で小型、軽量なパワーデバイス(例:MHzレベル以上、100 kVA以上で動作するパワーデバイス)、更には通信機能、制御回路等を融合した革新的なスマートパワーデバイス)、革新的なレーザーデバイス(高効率・広波長域のレーザーデバイス(例:可視光から紫外の波長域で高い効率を有するレーザーデバイス、深紫外レーザーデバイス))、高効率高周波デバイス(次世代無線通信、無線給電)の社会実装が実現することを念頭におきながら、GaN等の次世代半導体に関して材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションを活用した基礎基盤研究開発を実施します。
 具体的には、研究開発拠点の中核を担う中核拠点を設置し、中核拠点において各領域で行われる研究開発のとりまとめ等を行います。また、中核拠点において結晶創製に係る研究開発を実施します。さらに、評価基盤領域において結晶、パワーデバイス及びレーザーデバイスの評価に係る研究開発を実施するとともに、パワーデバイス・システム応用研究開発領域において、パワーデバイスの作製に係る研究開発、レーザーデバイス・システム応用研究開発領域において、レーザーデバイスの作製に係る研究開発を実施します。
 平成30年度からはこれに加えて、高周波デバイス・システム応用研究開発領域(以下、「高周波デバイス・システム領域」という。)を設置して、中核拠点及び評価基盤領域と連携しながら、高周波デバイスの研究開発を推進します。なお、研究開発の実施に当たっては、新しいアイディアを持った若手研究者等の積極的な参画に留意してください。
 なお、本公募は、平成30年度予算の成立を前提とするものであり、予算の成立状況によっては事業内容や事業予算を変更する場合があります。

2.事業規模、実施期間及び採択数

(1)事業規模

平成30年度の本事業全体の予算総額は14.4億円程度です。
そのうち、

・高周波デバイス・システム領域実施機関の規模は1.3億円程度

を目安とします。平成30年度以降の毎年度の予算については、平成31年度と同程度以下の予算総額の中でそれぞれ実施するとして事業計画を立ててください。なお、記載した予算総額は現時点での想定であり、保証するものではありません。採択時及び事業実施期間中に、文部科学省の指示により、事業実施内容及び実施予定額を調整する場合があります。

(2)実施期間

本事業は平成32年度まで実施することとします。また、毎年度の事業の進捗状況や平成30年度実施予定の中間評価の結果等を踏まえ、本事業の全部又は一部を事業実施期間中に終了することがあります。

(3)採択数

高周波デバイス・システム領域実施機関 :1件

3.スケジュール

公募開始から事業開始までのスケジュールとしては概ね以下のように予定しております。

募集受付

平成30年3月16日(金曜日)から4月11日(水曜日)17時00分まで(厳守)

公募説明会

平成30年3月26日(月曜日)14時00分から15時00分

書面審査

平成30年4月中旬

面接審査

平成30年4月19日(木曜日)

採択、採択通知又は不採択通知

平成30年5月中

契約締結

平成30年6月中

 
 
 詳しくは以下の公募要領を御覧ください。

お問合せ先

研究開発局環境エネルギー課

滝沢、竹内、武田
電話番号:03-634-4111(内線4545)
ファクシミリ番号:03-6734-4162
メールアドレス:kankyou@mext.go.jp

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(研究開発局環境エネルギー課)

-- 登録:平成30年03月 --