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平成29年度「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」提案課題の審査結果について

平成29年5月11日

文部科学省では、「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」について、公募及び所要の審査を経て採択機関を決定しましたので、お知らせいたします。

1. 事業の概要

  本事業では、「GaN等の次世代半導体に関して、材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションも活用した基礎基盤研究を実施することにより、実用化に向けた研究開発を加速すること」を目的としています。次世代半導体の実用化の加速による省エネルギー社会の早期実現に加えて、世界に先駆けた次世代半導体の市場投入による産業競争力の強化を目指すものです。
 上記の目的を達成するため、省エネルギー社会の実現に向けて、2030年に革新的なパワーデバイス(高周波・高出力で小型、軽量なパワーデバイス(例:MHzレベル以上、100 kVA以上で動作するパワーデバイス)、更には通信機能、制御回路等を融合した革新的なスマートパワーデバイス)、革新的なレーザーデバイス(高効率・広波長域のレーザーデバイス(例:可視光から紫外の波長域で高い効率を有するレーザーデバイス、深紫外レーザーデバイス))の社会実装が実現することを念頭におきながら、GaN等の次世代半導体に関して材料創製からデバイス化・システム応用までの研究開発を一体的に行う研究開発拠点を構築し、理論・シミュレーションを活用した基礎基盤研究開発を実施します。
 具体的には、研究開発拠点の中核を担う中核拠点を設置し、中核拠点において各領域で行われる研究開発のとりまとめ等を行います。また、中核拠点において結晶創製に係る研究開発を実施します。さらに、評価基盤領域において結晶及びパワーデバイスの評価に係る研究開発を実施するとともに、パワーデバイス・システム応用研究開発領域において、パワーデバイスの作製に係る研究開発を実施します。
 平成29年度からはこれに加えて、レーザーデバイス・システム応用研究開発領域(以下、「レーザーデバイス・システム領域」という。)を設置して、中核拠点及び評価基盤領域と連携しながら、レーザーデバイスの研究開発を推進します。なお、研究開発の実施に当たっては、新しいアイディアを持った若手研究者等の積極的な参画に留意してください。
 また、2030年において、通信機能、制御回路等を融合した革新的なスマートパワーデバイス及び革新的な無線給電・通信デバイスの社会実装を実現し、新しい市場を創出するために必要な技術課題の探索を行います。
 具体的には、革新的なスマートパワーデバイスの実現に必要な集積化技術、回路技術(受動素子を含む)や、次世代無線給電・通信デバイスの作製技術の開発等を行い、ボトルネックとなる技術課題を明らかにします。まとめた結果は、中核拠点に対して提供し、中核拠点ではその結果を踏まえて、次世代半導体の研究開発の方向性について検討を行います。

2. 決定までの経緯等

(1) 公募

  1. 実施期間:    平成29年3月15日(水曜日)から4月5日(水曜日)
  2. 募集方法:    文部科学省ホームページおよび府省共通研究開発管理システム(e-Rad)に掲載
  3. 応募件数:    10件

(2) 審査

外部有識者(別紙1)により構成される審査評価会において書面審査および面接審査を実施しました。

3. 審査結果

4件の採択機関を決定しました(別紙2)。

お問合せ先

研究開発局環境エネルギー課

小野、竹内、西島、渡邊
電話番号:03-5253-4111(内線4545)
ファクシミリ番号:03-6734-4162
メールアドレス:kankyou@mext.go.jp

(研究開発局環境エネルギー課)

-- 登録:平成29年05月 --