(研究期間:第期 平成9~11年度)
研究代表者:川合 真紀(理化学研究所表面化学研究室主任研究官)
(1) 総 評
具体的な研究成果としては、2種類の高温超伝導薄膜を自由に積層し、ビスマス系超伝導体にみられる固有ジョセフソン効果を他の超伝導体の超伝導領域を用いて発現させるデバイスや4層の薄膜が最初の光の情報を光-電荷-磁気構造変化ー電気伝導度変化と変換して取り出せる4層構造複合薄膜ディバイス等、世界に報告例のないデバイスを開発しており、計画は順調に進捗している。また、本研究はペロブスカイト型を中心とする酸化物が絶縁体から-半導体-金属-超伝導-強磁性-反強磁性-強誘電性などの多彩な物性と、さらに、光-磁性-誘電性-伝導性間の複合相乗的物性を示すことの基礎事実に基づいて、それら機能を調和協奏的に発現させることを目標としており、目的・目標は適切である。従って、第期に移行すべきである。
(2) 評価結果
(a) 理論・設計技術に関する研究
実験研究の重要な方向として、薄膜作成や人工超格子の作製があり、結晶成長過程のシミュレーションはこのような実験研究との関連において、大いに意味のある研究である。しかし、こうした研究には、原子間あるいは分子間のポテンシャルの選択や計算でカバーできる時間が現実の実験での時間とは比べ物にならないくらい短いなど、多くの困難な問題があり、計算結果の意味するところを慎重に検討することが必要である。そのためには、実験家の協力のもとに、系を絞り、徹底的な研究を行うことも重要であろうと思われる。本研究テーマは、機能調和酸化物の薄膜成長過程と物性に関して第1原理計算からの予測を可能にし、実験グループの結果に解釈や指導指針を与えることを目的としているが、現在、話題となっている梯子型構造物質やCu1234型高温超伝導体の電子状態を適切に予言し、誘電率等を計算できるプログラムを開発して、すでに透明導電体挙動を定量的に説明している。また、従来困難であった薄膜成長過程のシミュレーションを本課題のニーズに牽引されて精力的に試行したことは高く評価できる。
機能酸化物積層構築技術においては、スピン配列の3次元制御に世界で初めて成功したのは大きな成果であり、機能調和デバイスの作製など、今後の研究方針も妥当である。P型透明伝導体を世界で初めて作製したことは高く評価できるが、この中の2つのテーマのうち、P型伝導体の開発に的を絞った方がよい。
高品質な光学薄膜の形成法の開発、ZnO/LiNbO3ヘテロエピタキシーの発見は光学薄膜の複合化の可能性を示したもので高く評価できる成果であり、デバイス化に向けた材料制御への展開が期待される。Mn系酸化物からなる積層構造を制御する手法を開発した点、最高水準の磁気抵抗効果及び抵抗異常の観測に成功した点は高く評価できる。今後は微視的構造との関連の解明が期待される。
次世代素子開発の基板研究としてPZT薄膜がシリコン基板上に成長され、それを使ってナノサイズの強誘電体メモリーの作製を試みた。実際にナノ領域においてメモリーの読み出しが行われたことは世界でも初めての事であり、大いに意義深く、産業界に与えたインパクトは計り知れない。今後は、第期に発見した電荷注入や局所高電界印加の基礎科学を進めてナノサイズ強誘電体の物性を解明することが望まれる。
原子層エピタキシャル技術を用いて層状酸化物高温超伝導体の超精密薄膜成長を行い、二面対間隔を徐々に変えられるPb系酸化物材料を選択することにより面対間隔と輸送現象の相関を初めて明らかにした。さらに人工超格子の試作技術を整えて対面間隔の調整により超伝導結合を連続的に帰ることに成功した点は高く評価できる成果である。今後は、テラヘルツ帯域の超高周波デバイス創製を念頭に置いて基盤技術研究に取り組まれるよう期待する。
光導波路の性能向上と高集積化をめざし、LN導波路を母体にした光機能ディバイスの製造プロセスに関する基盤研究の中で、異常光閉じ込め/常光漏洩型の導波路型偏光子を世界に先駆けて試作する中で、各種のプロセスチェックが行われ、特に水素イオン注入による屈折率変化に関して成果を米国学会誌に投稿するに至っている。今後は、これまでに抽出した問題点の解決とその成果を使った新しい光素子の開拓にあたられるよう希望する。
(3) 第期にあたっての考え方
-- 登録:平成21年以前 --